特許

J-GLOBAL ID：200903029606323038

半導体装置の製造方法

発明者： 結城 勝
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 西田 新
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-272225
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109765
出願日： 1991年10月21日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 ショートチャネル効果が抑えられ、かつ、接合耐圧が向上し、かつ、ホットキャリアに対しても強い半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 ゲート電極形成前に基板全面に第1導電型の高濃度不純物層を形成した後、ゲート電極を形成し、その後、LDD構造の低濃度のN型不純物層および低濃度のP型不純物層を形成した後、高濃度のN型不純物層を形成する工程を有する。

請求項（抜粋）：

第1導電型基板上に、高濃度の第1導電型イオンを注入することにより、高濃度の第1導電型不純物層を形成した後、その高濃度の第1導電型不純物層上に熱酸化膜を形成し、その後、その熱酸化膜上にポリシリコンを堆積した後、ゲート電極を形成すべき位置の上記第1導電型不純物層上のポリシリコンおよび熱酸化膜を残存させるようフォトリソグラフィおよびエッチングにより所定の上記ポリシリコンおよび熱酸化膜を除去し、その後、所定の角度で回転イオン注入を行うことにより、低濃度の第1導電型不純物層を形成するとともに、その低濃度の第1導電型不純物層内の基板表面側に低濃度の第2導電型不純物層を形成し、その後、上記ゲート電極の側面にサイドウォールを形成した後、高濃度の第2導電型イオンを注入することにより、上記低濃度の第2導電型不純物層よりも深い位置に達する高濃度の第2導電型不純物層を形成する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 L