特許

J-GLOBAL ID：200903029607464379

半導体レーザ装置

発明者： 中森 知宏 ,  橋本 宏 ,  遠藤 壮哉 ,  町野 斉 ,  石津 雅則
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-268865
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120622
出願日： 1992年10月07日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】 レーザ素子が非点灯状態から点灯状態に切り替えられても、チップで消費される電力を一定にすることにより、点灯時にレーザ光出力を低下させない半導体レーザ装置を提供する。【構成】 本発明の半導体レーザ装置100は、一つのチップ上に複数のレーザ素子102,103が形成され、複数のレーザ素子のうち少なくとも一つは、外部にレーザ光を照射できないようにシールド部材で出射口が覆われ、ダミーレーザ素子103とされている。あるいは、一つのチップ上に複数のレーザ素子が形成され、複数のレーザ素子のうち少なくとも一つは、ダミーレーザ素子として光軸方向が他のレーザ素子の光軸方向からずれた方向に向けられている。

請求項（抜粋）：

一つのチップ上に複数のレーザ素子が形成され、複数のレーザ素子のうち少なくとも一つは、外部にレーザ光を照射できないようにシールド部材で出射口が覆われていることを特徴とした半導体レーザ装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  B41J 2/385 ,  H01S 3/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-115585
  
• 特開昭62-257184
  
• 特開昭49-085992
  
• 特開昭63-292688