特許

J-GLOBAL ID：200903029610614055

磁性薄膜および磁性薄膜の製造方法

発明者： 鈴木 功一 ,  小巻 賢治
出願人/特許権者： リードライト・エスエムアイ株式会社
代理人 (1件)： 藤田 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-157715
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320885
出願日： 1996年05月28日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】 高密度磁気記録に適した薄膜磁気ヘッドの磁性体として主に用いられる磁性薄膜であり、めっき法により製造され、飽和磁束密度が高く、軟磁気特性に優れ、かつ高比抵抗を有する、磁性薄膜および磁性薄膜の製造方法を提供する【解決手段】 処理物を電気めっきし、処理物の表面に磁性薄膜を形成させるめっき浴は、Fe2+イオン、Ni2+イオン及びCo2+イオンを含み、且つSi02 又はAl2 O3 の微粒子がコロイド状に分散されている。製造された、磁性合金の薄膜中には、Co-Ni-Fe3元系合金2(磁性体)内に、シリカまたはアルミナ3が分散されており、比抵抗が高い。

請求項（抜粋）：

めっき浴中において処理物を電気めっきし、処理物の表面に磁性薄膜を形成させる磁性薄膜の製造方法において、めっき浴は、Fe2+イオン、Ni2+イオン及びCo2+イオンから選ばれた二種以上のイオンを含有し、かつめっき浴中には絶縁体の微粒子が分散されていることを特徴とする磁性薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01F 41/26 ,  C25D 5/26 ,  C25D 15/02 ,  G11B 5/31 ,  H01F 10/16

FI (6件)：

H01F 41/26 ,  C25D 5/26 ,  C25D 15/02 G ,  C25D 15/02 F ,  G11B 5/31 C ,  H01F 10/16