特許
J-GLOBAL ID:200903029611933324
半導体装置および固体撮像装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
松隈 秀盛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-145379
公開番号(公開出願番号):特開平10-335629
出願日: 1997年06月03日
公開日(公表日): 1998年12月18日
要約:
【要約】【課題】 保護トランジスタによる静電衝撃や、放電に対する保護を確実に行うことができるようにする。【解決手段】 保護トランジスタを具備する半導体装置もしくは固体撮像装置において、その保護トランジスタが、複数のエミッタ21Eが配列されたバイポーラトランジスタよりなる構成とする。
請求項(抜粋):
保護トランジスタを具備する半導体装置において、上記保護トランジスタが、複数のエミッタが配列されたバイポーラトランジスタよりなることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件):
H01L 27/148
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/331
, H01L 29/73
, H04N 5/335
FI (4件):
H01L 27/14 B
, H04N 5/335 F
, H01L 27/04 H
, H01L 29/72
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