光半導体装置、それを含む偏波光スイッチング装置、それを用いた光通信システム及び方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-021481
公開番号（公開出願番号）：特開平11-202276
出願日： 1998年01月19日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】成長回数が少なく、低しきい電流密度のレーザなどを実現すると共に、従来に比較し制御しやすい偏波変調レーザの構成などを実現する為の光半導体装置である。【解決手段】光半導体装置は、TEモードとTMモードの少なくとも一方を吸収する様に形成された半導体積層構造3を有する吸収領域16を持つ。半導体積層構造3を有する吸収領域16と、発光素子領域15が集積形成されていてもよい。

請求項（抜粋）：

TEモードとTMモードの少なくとも一方を吸収する様に形成された半導体積層構造を有する吸収領域を持つ光半導体装置。

IPC (6件)：

G02F 1/025 , H01S 3/18 , H04B 10/152 , H04B 10/142 , H04B 10/04 , H04B 10/06

FI (3件)：

G02F 1/025 , H01S 3/18 , H04B 9/00 L

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