3層レジストプロセス用中間層材料組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小栗昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-081328
公開番号（公開出願番号）：特開2003-280207
出願日： 2002年03月22日
公開日（公表日）： 2003年10月02日
要約：

【要約】【課題】有機溶剤に可溶であり、保存安定性に優れ、かつ上層レジストパターニング時に裾引き形状、ラインエッジラフネスに問題のない3層レジストプロセス用中間層材料組成物及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】環状構造のポリシロキサン化合物とビス(置換エチニル)化合物とを白金含有触媒下、ヒドロキシル化重合反応させることにより得られる(A)オクタキス(シルセスキオキサン)骨格を有する重合体を含有することを特徴とする3層レジストプロセス用中間層材料組成物及びそれを用いたパターン形成方法。

請求項（抜粋）：

下記化合物(I)と一般式(II)の化合物を白金含有触媒下、ヒドロキシル化重合反応させることにより得られる(A)オクタキス(シルセスキオキサン)骨格を有する重合体を含有することを特徴とする3層レジストプロセス用中間層材料組成物。【化1】式(I)において、Ra〜Rhは、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、又はアルキル基を表すが、少なくとも二つは水素原子である。式(II)において、R1及びR3は、各々独立に、一価の有機基または有機金属基を表し、R2は二価の有機基または有機金属基を表す。aは0又は1を表す。

IPC (5件)：

G03F 7/11 , C08G 77/50 , G03F 7/075 521 , G03F 7/26 511 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/11 , C08G 77/50 , G03F 7/075 521 , G03F 7/26 511 , H01L 21/30 573

Fターム (17件)：

2H025AA03 , 2H025AA11 , 2H025AB16 , 2H025DA40 , 2H025FA35 , 2H096AA25 , 2H096KA02 , 4J035BA12 , 4J035CA02U , 4J035CA021 , 4J035HA01 , 4J035HA02 , 4J035HB01 , 4J035HB02 , 4J035HB03 , 4J035HB05 , 5F046NA07

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平4-006563
特開平4-005658
特開平2-032356

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