特許

J-GLOBAL ID：200903029629351195

MOS形電界効果トランジスタ

発明者： アルベルト オー アダン
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-323317
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160396
出願日： 1991年12月06日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 従来のCMOSの製造工程を利用しうる簡単な方法で酸化物電界分離領域(FOX)の幅を小さくし能動領域の幅を拡大して、より高度な集積密度を可能にするMOSFETを提供する。【構成】 ソース16とドレイン16′の領域が、ゲート電極14に自己整合し且つシリコン単結晶基板1中の浅い埋設位置にある酸化物絶縁層7により抱持されて、該酸化物絶縁層7の上にあり、チャネル領域は、その底部が前記シリコン基板に連続している構造を有するMOS形電界効果トランジスタ。

請求項（抜粋）：

ソースとドレインの領域が、ゲート電極に自己整合し且つシリコン単結晶基板中の浅い埋設位置にある酸化物絶縁層により抱持されて、該酸化物絶縁層の上にあり、チャネル領域は、その底部が前記シリコン基板に連続している構造を有するMOS形電界効果トランジスタ。