特許

J-GLOBAL ID：200903029629968753

半導体記憶装置

発明者： 山口 泰紀 ,  宇田川 哲 ,  野副 敦史 ,  大嶋 一義 ,  菅 進一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立デバイスエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-160637
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005074
出願日： 1992年06月19日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、セルフリフレッシュ動作の終了後に、システム側の制御によって必ず行う必要があったところのオートリフレッシュ動作についての配慮を不要とすることによって、ユーザの使い勝手の向上を図ることにある。【構成】 比較的長い周期のセルフリフレッシュ制御モードと、比較的短い周期のセルフリフレッシュ制御モードとを、半導体記憶装置の外部から与えられる条件に従って切換えるための制御ブロックとして、リフレッシュブロック23、及びタイマ回路24を設け、比較的長い周期のセルフリフレッシュ動作の終了を感知して、比較的周期の短いリフレッシュ動作が自動的に行わせることで、システム側の制御による上記オートリフレッシュ動作を不要とする。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルをマトリクス配置して成るメモリセルアレイ部と、内部アドレス制御により、上記メモリセルアレイ部の記憶内容を所定の周期でリフレッシュするためのセルフリフレッシュ制御部とを含む半導体記憶装置において、上記セルフリフレッシュ制御手段は、比較的長い周期の第1セルフリフレッシュ制御モードと、比較的短い周期の第2セルフリフレッシュ制御モードとを、半導体記憶装置の外部から与えられる条件に従って切換えるための制御ブロックを含むことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/406 ,  G11C 11/407

FI (2件)：

G11C 11/34 363 L ,  G11C 11/34 354 C