半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-158758
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349150
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】デュアルダマシン溝(接続孔)内への異物の残留を回避し、配線接続の信頼性および半導体装置性能の向上を図る。【解決手段】第4配線層の配線33上に絶縁膜34〜38を順次形成し(絶縁膜34,36,38はシリコン窒化膜からなる。絶縁膜35,37はシリコン酸化膜からなる)、絶縁膜38に溝パターン40をフォトリソグラフィを用いて転写する。絶縁膜38の溝パターン40を埋め込む反射防止膜41を形成し、さらに孔パターン43を有するレジスト膜42を形成する。レジスト膜42の存在下でエッチング処理を施し、絶縁膜38,37,36および絶縁膜35の一部に孔パターン43を転写する。その後、レジスト膜42,反射防止膜41を除去し、絶縁膜38をマスクとして溝パターン40を絶縁膜37に、孔パターン43を絶縁膜35に転写する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造方法であって、(a)基板上に第1絶縁層を形成する工程、(b)前記第1絶縁層上に、配線溝を形成する際のエッチングマスクとなる配線溝パターン層を形成する工程、(c)前記配線溝パターン層上に、接続孔を形成する際のエッチングマスクとなる孔パターン層を形成する工程、(d)前記孔パターン層の存在下で、前記配線溝パターン層と前記第1絶縁層とにエッチング処理を施し、前記第1絶縁層に所定の深さの孔パターンを転写する工程、(e)前記孔パターン層を除去する工程、(f)前記配線溝パターン層および孔パターンの存在下でエッチング処理を施し、前記第1絶縁層に配線溝パターンを転写する工程、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 B , H01L 21/88 K

Fターム (22件)：

5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033JJ01 , 5F033KK11 , 5F033KK33 , 5F033MM02 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ04 , 5F033QQ11 , 5F033QQ23 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033TT02

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭10-112503
特開昭10-229122
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-067225 出願人：セイコーエプソン株式会社

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審査官引用 (4件)

特開昭10-112503
特開昭10-229122
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-067225 出願人：セイコーエプソン株式会社

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