特許
J-GLOBAL ID：200903029639806450
荷電粒子線マスクとその製造方法と荷電粒子線リソグラフィシステムの操作方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-227014
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114168
出願日： 1999年08月11日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】従来のマスク構造とデザインの持つ、マスクの品質の初期査定や評価や或いは監視ができないという問題点を解決し、高スループットの電子ビーム投影リソグラフィシステムを実現するマスクを提供する。【解決手段】荷電粒子線マスクは、パターンの設けられた複数のサブフィールドメンブレンマスク領域120と、サブフィールドメンブレンマスク領域の間に延びて、サブフィールドメンブレンマスク領域を支持するストラット110のグリレッジと、前記サブフィールドメンブレンマスク領域に数が対応し、前記サブフィールドメンブレンマスク領域に隣接するストラットの前記グリレッジに設けられ、同じプロセスで前記サブフィールドメンブレンマスク領域と同時並行してパターンが設けられる、複数の測定マーク200とを有する。
請求項（抜粋）：
パターンの設けられた複数のサブフィールドメンブレンマスク領域と、前記サブフィールドメンブレンマスク領域の間に延びて、前記サブフィールドメンブレンマスク領域を支持するストラットのグリレッジと、前記サブフィールドメンブレンマスク領域に数が対応し、前記サブフィールドメンブレンマスク領域に隣接するストラットの前記グリレッジに設けられ、同じプロセスで前記サブフィールドメンブレンマスク領域と同時並行してパターンが設けられる、複数の測定マークとを有することを特徴とする荷電粒子線マスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 541 S
, G03F 1/16 B
