半導体装置及びその特性の測定方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-191563
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036803
出願日： 1991年07月31日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】高抵抗負荷型SRAM等のメモリセルが有する抵抗成分を直接測定する。【構成】メモリセルアレイ1と、周辺回路2の給電系統を分離して、パッド3とパッド5から給電される電圧はメモリセルアレイ1のみに給電されるように構成する。メモリセル専用のパッド3とパッド5にのみ給電される電圧によりメモリセル専用のパッド3とパッド5間に流れる電流を測定する。そして、前記電圧と前記電流によりSRAM全体が有する抵抗値を測定する。【効果】半導体装置内の高抵抗負荷型SRAMの有する高抵抗の抵抗値を直接測定することができ、テスト・エレメント・グループ内にテストパターンを形成する必要がなく、一枚のウエハを有効に活用できる。また、高抵抗の測定を安定して行え、信頼性が向上する

請求項（抜粋）：

メモリセルアレイを構成する複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルに接続し、前記複数のメモリセルにのみ電位を供給するメモリセル専用の第1及び第2のパッドと、を備えたスタティック・ランダム・アクセスメモリを有することを特徴とする半導体装置。

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