特許

J-GLOBAL ID：200903029643009270

半導体装置のキャパシタおよびその製造方法

発明者： 崔 龍鎭 ,  李 泰雨 ,  呉 容哲
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-049094
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007088
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の新規な構造を有するキャパシタおよびその製造方法を提供する。【構成】 ストレージ電極105は、単一の導電層より形成されソース領域14に接続された下部と、この下部から上方向へ延長された胴体よりなる。この胴体の中間部分は、キャパシタンスを増加させるための凹凸状の内外壁を有し、花瓶形状になっている。ストレージ電極105の内面および外面上に誘電体膜115が形成され、この誘電体膜115上にプレート電極125が形成される。ストレージ電極105は、1つの導電層のみで形成され、その上面、側面および下面まで有効キャパシタ面積に使用している。【効果】 これにより、セルキャパシタンスの増加を容易に達成でき信頼性のあるキャパシタが得られる。

請求項（抜粋）：

単一の導電層より形成され、半導体基板の所定部分に接続された下部と、前記下部から上方向へ延長された胴体を有し、前記胴体部の中間部分にはキャパシタンスを増加させるための少なくとも1つの凸部を有するストレージ電極と、前記ストレージ電極の内面および外面上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成されたプレート電極を具備する半導体装置のキャパシタ。

IPC (4件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/10 325 M ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 C