特許
J-GLOBAL ID：200903029645799651
総合光学ガイドと、光検出器とを備えたオプトエレクトロニックデバイス
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-111916
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198829
出願日： 1992年04月30日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 光導波路と半導体光検出器をモノリシックに集積した小型で高速性能の高いオプトエレクトロニクIC型光センサを提供する。【構成】 半導体基板S上に屈折率n1をもつ第1下部制限層CiC,n1より大きな屈折率n2の第2導波層CG,n2より小さな屈折率n3の第3上部制限層,CG層からのエバネセント波を吸収する屈折率n4の吸収性層Abとから成る。またn1とn2によって限定された範囲以外の屈折率n5をもつ一部反射層CRが下部制限層CiCと第2導波層CGとの間で吸収性層Abに対向する位置に挿入されている。【効果】 上記の構造により光を完全に吸収し,かつ応答時間を短縮することができる。
請求項（抜粋）：
総合光学ガイド、および光学検出器を有し、連続して、同じ半導体基板上に、先ず第一に、第一指数(n1)を有する第一物質からなる第一下部制限層(CiC)と、上記第一指数(n1)より高い第二指数(n2)を有する第二物質からなる第二ガイド層(CG)と、随意に、上記第二物質の指数(n2)よりも低い第三指数(n3)を有する第三物質からなる第三上部制限層(CsC)と、第四指数(n4)を有し、ガイドウエイブ(CG)からの放射を、エバネセントによって、吸収できる第四物質からなる第四吸収性層(Ab)とからなるオプトエレクトロニックデバイスであって、デバイスが、また、下部制限層(CiC)と、ガイド層(CG)との間に挿入され、吸収性層(Ab)に対面して位置している一部反射層(CR)を有し、その一部反射層(CR)が、下部限定層(CiC)の第一指数(n1)と、ガイド層(CG)の第二指数(n2)とによって限定される範囲以外の値である第五指数(n5)を有する第五物質によって構成されていることを特徴とする総合光学ガイド、および光学検出器を有するオプトエレクトロニックデバイス。
IPC (3件)：
H01L 31/0232
, G02B 6/12
, G02B 6/42
