シリコン層の製造方法、半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-306471
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133604
出願日： 1998年10月28日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】大型で歪点が比較的低いガラス板上にシリコンエピタキシー層を所望の厚さもしくは複数層に形成することは困難であった。【解決手段】絶縁基体11の表面側に結晶成長のシード12を形成し、その結晶成長のシード12とシリコン含有低融点金属溶融液13とを接触させる。そして第1の冷却処理を行い、シリコン含有低融点金属溶融液13中のシリコンを結晶成長のシード12を起点に結晶成長させて下層シリコン層14を形成する。その後析出した低融点金属(図示省略)を除去する。次に下層シリコン層14とシリコン含有低融点金属溶融液15とを接触させる。そして第2の冷却処理を行い、シリコン含有低融点金属溶融液15中のシリコンを下層シリコン層14を起点に結晶成長させて上層シリコン層16を形成する。その後析出した低融点金属(図示省略)を除去して、シリコン層17が完成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基体の表面側に結晶成長のシードを形成する工程と、前記結晶成長のシードと、シリコンを含む状態で溶融している低融点金属からなるシリコン含有低融点金属溶融液とを接触させる工程と、第1の冷却処理により、前記結晶成長のシードを起点にして前記シリコン含有低融点金属溶融液中のシリコンを結晶成長させ、前記絶縁基体の表面側に下層シリコン層を形成する工程と、前記第1の冷却処理の際に析出した低融点金属を除去する工程と、前記下層シリコン層と、シリコンを含む状態で溶融している低融点金属からなるシリコン含有低融点金属溶融液とを接触させる工程と、第2の冷却処理により、前記下層シリコン層を起点にして前記シリコン含有低融点金属溶融液中のシリコンを結晶成長させ、前記下層シリコン層上に上層シリコン層を形成する工程と、前記第2の冷却処理の際に析出した低融点金属を除去する工程とを備えたことを特徴とするシリコン層の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/208 , C30B 29/06 501 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/208 Z , C30B 29/06 501 B , H01L 27/12 E , H01L 29/78 618 A , H01L 29/78 626 C

Fターム (56件)：

4G077AA03 , 4G077BA04 , 4G077CC01 , 4G077EF01 , 5F053AA03 , 5F053AA25 , 5F053AA44 , 5F053BB24 , 5F053DD01 , 5F053FF01 , 5F053FF02 , 5F053GG01 , 5F053GG05 , 5F053HH05 , 5F053HH10 , 5F053JJ01 , 5F053JJ03 , 5F053KK03 , 5F053KK10 , 5F053LL10 , 5F053PP02 , 5F053RR20 , 5F110AA01 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD07 , 5F110DD12 , 5F110DD14 , 5F110DD21 , 5F110EE06 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG32 , 5F110GG41 , 5F110GG42 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL06 , 5F110HL23 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN25 , 5F110NN35 , 5F110QQ11

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