特許
J-GLOBAL ID：200903029647106815
表示素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-306648
公開番号（公開出願番号）：特開平8-160465
出願日： 1994年12月09日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【構成】 インジウムすず酸化物(以下、ITOと記す)薄膜におけるデータ信号線3...および絵素電極6...が形成されるべき領域にのみ、絶縁性および耐エッチング性を備えた保護膜18...を形成し、その後、この保護膜18...をマスクとして用いて、露出している該ITO薄膜をウェットエッチングする。保護膜18...は、窒化ケイ素薄膜からなり、ITOとの密着性が充分に高い。【効果】 ITO薄膜および保護膜18...間に隙間が形成されないので、該ITO薄膜が分厚い場合においても、いわゆるサイドエッチング(サイドシフト)を充分に小さくすることができる。このため、エッチング残渣が起こらないようにITO薄膜にオーバエッチングを施した場合においても、サイドシフトの発生を実質的に抑えることができるので、液晶表示素子の設計マージンを大きくすることができると共に、歩留りを向上させることができる。
請求項（抜粋）：
絵素を構成する絵素電極と、この絵素電極に信号を供給する信号線とを基板上に有する表示素子の製造方法において、基板上に導電性薄膜を形成すると共に、該導電性薄膜における上記絵素電極および信号線の少なくとも一方が形成されるべき領域にのみ、絶縁性および耐エッチング性を備えた保護膜を形成し、その後、露出している該導電性薄膜をエッチングすることを特徴とする表示素子の製造方法。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/136 510
