特許
J-GLOBAL ID：200903029647550545
絶縁ゲート型電界効果トランジスタ と3端子スイッチ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-087099
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058614
出願日： 1990年03月28日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 そのターン・オフをもっと早くすることである。【構成】 絶縁ゲート型電界効果トランジスタのサブストレート(又はバックゲート)とゲートの間にダイオードをそのソース・サブストレート間の逆電圧方向に接続し、そのゲート又はソースとそのサブストレートの間に抵抗を接続したことを特徴としている。このことによって、そのゲート・ソース間に逆バイアス電圧が印加されると、そのダイオードを介してそのソース・サブストレート間にも逆バイアス電圧が印加されるので、基板バイアス効果によりそのオン、オフのしきい値電圧の絶対値が大きくなり、『そのターン・オフが早まる』という効果が生じる。一方、そのゲート・ソース間に順バイアス電圧が印加されると、その抵抗がそのサブストレート電位をそのソース電位と同じにするので、そのオン抵抗とそのしきい値電圧は従来のソース・サブストレート直結の場合と同じである。
請求項（抜粋）：
絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、そのサブストレート・そのゲート間に非可制御スイッチをそのソース・前記サブストレート間の逆電圧方向に接続し、前記ゲート又はソースと前記サブストレートの間に抵抗を接続したことを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
引用特許：
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