特許

J-GLOBAL ID：200903029661539295

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： ▲高▼橋 英匡
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-039833
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235042
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 飽和出力が大きく、利得の線形性がよく、かつ高電力付加効率の高出力電界効果トランジスタを実現する。また、埋め込みゲート構造の製造方法において、ドレイン電流の制御性を向上する。【構成】 半絶縁性基板1上にn-GaAs層2、1000オングストローム以上かつ2000オングストローム以下の不純物ドープしないi-GaAs3を形成し、i-GaAs層3中に形成され、かつi-GaAs層が300オングストローム以上の層厚を有するように形成されたゲート電極6を設けることにより、表面準位の影響を避けた構造でかつゲート電極6近傍での電界集中を低減し、高出力・高効率の電界効果トランジスタを実現する。

請求項（抜粋）：

n型に不純物ドープしたGaAs層(n-GaAs層)と、このn-GaAs層上に1000オングストローム以上かつ2000オングストローム以下の層厚で配した、5×1016cm-3以下の濃度でn型に不純物ドープしたGaAs層(n- -GaAs層)あるいは1×1015cm-3以下の濃度のp型に不純物ドープしたGaAs層(p- -GaAs層)あるいは不純物ドープしないGaAs層(i-GaAs層)と、前記n- -GaAs層あるいはp- -GaAs層あるいはi-GaAs層上に形成され、かつ前記n-GaAs層との間に前記n- -GaAs層あるいはp--GaAs層あるいはi-GaAs層が300オングストローム以上の層厚を有するように形成されたゲート電極とを備えることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-286284
  
• 特開平3-053097
  
• 特開平4-049626
  
• 特開昭50-119580