特許

J-GLOBAL ID：200903029662350560

半導体記憶装置

発明者： 中井 潔 ,  三輪 仁 ,  川本 洋 ,  佐藤 克之 ,  宮沢 一幸
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-278334
公開番号（公開出願番号）：特開平5-094699
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：

【要約】【目的】 ナンド型セル構造を採るEEPROM等の読み出し動作を安定化しつつ高速化し、そのアクセスタイムを例えば100ns台まで高速化する。【構成】 EEPROM等のセンスアンプSAを、バイポーラ回路又はバイポーラCMOS回路からなるECL型又はカスコード型差動増幅回路により構成し、そのメモリアレイMARYに、通常のメモリセルQCの倍数のダミーセルQDが直列接続されてなりセンスアンプSAに所定の基準電位を与えるダミービット線DBを設ける。これにより、センスアンプSAの増幅率を著しく高め、その増幅動作を高速化できるとともに、ダミービット線DBにより安定した基準電位を発生し、センスアンプSAの動作を安定化することができる。

請求項（抜粋）：

読み出しのみあるいは読み出しとプログラム又は消去及びプログラムとが可能なメモリセルが格子状に配置されてなるメモリアレイと、バイポーラ回路又はバイポーラCMOS回路からなるセンスアンプとを具備することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 309 B ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371