特許

J-GLOBAL ID：200903029663916304

研磨方法および装置

発明者： 斉藤 俊哉
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-107901
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303155
出願日： 1997年04月24日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 研磨速度の安定性および半導体ウェハの研磨の面内均一性を向上させる。【解決手段】 半導体ウェハ1の研磨が行われる液槽10と、液槽10内に設置されかつ研磨時に半導体ウェハ1を支持して回転するとともに表面3aに研磨パッド4が設けられた研磨盤3と、研磨盤3を回転させる研磨盤回転手段8と、液槽10内に設置されかつ研磨時に回転しながら半導体ウェハ1を研磨パッド4に押さえ付けて保持する加圧ヘッド6と、加圧ヘッド6を回転させる加圧ヘッド回転手段9と、液槽10に収容されたスラリ2の温度を制御する温度制御部17とからなり、液槽10内の温度制御されたスラリ2中で半導体ウェハ1に形成された被研磨膜1cの研磨を行う。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハに形成された被研磨膜を研磨する研磨方法であって、温度制御された環境で前記半導体ウェハの前記被研磨膜を研磨することを特徴とする研磨方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  B24B 49/08 ,  B24B 49/14

FI (5件)：

H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 E ,  B24B 37/00 Z ,  B24B 49/08 ,  B24B 49/14