特許

J-GLOBAL ID：200903029670133110

円盤状ヒータおよびウエハ処理装置

発明者： 今泉 末広
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-130991
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313155
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】急速昇温に対して円盤状ヒータの周辺部における異常加熱を抑制して、定常状態においても均一な温度分布を有するとともに、円盤状絶縁性基板のマイグレーションを防止できる円盤状ヒータおよびウエハ処理装置を提供する。【解決手段】円盤状絶縁性基板2の内部に、正の抵抗温度係数を有する発熱抵抗体6を略同心円状に配設してなり、絶縁性基板2の周辺部の発熱密度が中心部よりも高く設定されてなる円盤状ヒータにおいて、該絶縁性基板2の周辺部に配設された発熱抵抗体6aの抵抗温度係数が、中心部に配設された発熱抵抗体6bの抵抗温度係数よりも小さく、発熱抵抗体6aの室温における体積固有抵抗値が、発熱抵抗体6bよりも高く、かつ中心部および周辺部に配設された発熱抵抗体6a、6bを並列接続してなるものである。

請求項（抜粋）：

円盤状絶縁性基板の内部に、正の抵抗温度係数を有する発熱抵抗体を略同心円状に配設してなり、円盤状絶縁性基板の周辺部の発熱密度が中心部よりも高く設定された円盤状ヒータにおいて、該円盤状絶縁性基板の周辺部に配設された発熱抵抗体の抵抗温度係数が、中心部に配設された発熱抵抗体の抵抗温度係数よりも小さく、前記周辺部に配設された発熱抵抗体の室温における体積固有抵抗値が、前記中心部に配設された発熱抵抗体よりも高く、かつ前記中心部および前記周辺部に配設された発熱抵抗体を並列接続してなることを特徴とする円盤状ヒータ。

IPC (6件)：

H05B 3/10 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05B 3/14 ,  H05B 3/18 ,  H05B 3/20 328

FI (6件)：

H05B 3/10 A ,  H01L 21/205 ,  H05B 3/14 A ,  H05B 3/18 ,  H05B 3/20 328 ,  H01L 21/302 B

Fターム (51件)：

3K034AA02 ,  3K034AA07 ,  3K034AA08 ,  3K034AA10 ,  3K034AA20 ,  3K034AA21 ,  3K034AA34 ,  3K034AA37 ,  3K034BB06 ,  3K034BB14 ,  3K034BC17 ,  3K034BC24 ,  3K034BC28 ,  3K034BC29 ,  3K034CA02 ,  3K034CA14 ,  3K034CA22 ,  3K034CA32 ,  3K034HA01 ,  3K034HA10 ,  3K092PP09 ,  3K092QA05 ,  3K092QB02 ,  3K092QB18 ,  3K092QB21 ,  3K092QB33 ,  3K092QB44 ,  3K092QB49 ,  3K092QB75 ,  3K092QB76 ,  3K092QC02 ,  3K092QC25 ,  3K092QC49 ,  3K092QC58 ,  3K092RF03 ,  3K092RF11 ,  3K092RF26 ,  3K092RF27 ,  3K092VV08 ,  3K092VV22 ,  5F004AA01 ,  5F004BB22 ,  5F004BB26 ,  5F004BB29 ,  5F004BD04 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AA11 ,  5F045BB02 ,  5F045EK09 ,  5F045EK22