特許
J-GLOBAL ID：200903029675195319
錫-銅合金層を析出させるための電解質及び方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
萼 経夫
, 中村 壽夫
, 宮崎 嘉夫
, 加藤 勉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-529569
公開番号（公開出願番号）：特表2004-510053
出願日： 2001年09月20日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】錫-銅合金層を析出させるための電解質及び方法を提供する。【解決手段】本発明は、錫-銅合金を析出させるための酸電解質に関するものである。前記電解質は、一種又はそれより多くのアルキルスルホン酸及び/又はアルカノールスルホン酸、一種又はそれより多くの可溶性錫(II)塩、一種又はそれより多くの可溶性銅(II)塩、並びに一般式-R-Z-R’(式中、R及びR’は同一又は異なる非芳香族有機基を表わし、そしてZは硫黄原子又は酸素原子を表わす。)で表わされる一種又はそれより多くのチオエーテル官能基及び/又はエーテル官能基を有する一種又はそれより多くの有機硫黄化合物を含む。本発明はまた、前記電解質の使用を含む方法、前記方法を使用して得られた被膜、及び電子部品を被覆するための前記電解質の使用に関するものである。
請求項（抜粋）：
一種又はそれより多くのアルキルスルホン酸及び/又はアルカノールスルホン酸、
一種又はそれより多くの可溶性錫(II)塩、
一種又はそれより多くの可溶性銅(II)塩、並びに
一種又はそれより多くの有機硫黄化合物
を含む、錫-銅合金を析出させるための酸性で水性の電解質であって、
前記有機硫黄化合物は、構造的特徴として、一般式-R-Z-R’で表わされる一種又はそれより多くのチオエーテル官能基及び/又はエーテル官能基を含み、前記一般式中、Zは硫黄原子又は酸素原子を表わし、そしてR及びR’は同一又は異なる非芳香族有機基を表わすが、但し、Zが酸素原子のみを表わすとき、基R及びR’の少なくとも一つは少なくとも1個の硫黄原子を含むことを特徴とする酸性で水性の電解質。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
4K023AB33
, 4K023AB38
, 4K023BA29
, 4K023CB08
, 4K023CB33
, 4K023DA02
, 4K023DA06
, 4K023DA07
, 4K023DA08
