特許
J-GLOBAL ID：200903029677062340
半導体層と該半導体層の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-205204
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077513
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 トレンチの深さ全体に渡って同じ表面電荷密度を有する、横方向にドーピング形態の変化する半導体層と該半導体層の作製方法を提供すること。【解決手段】 半導体層4に設けられた少なくとも1つのトレンチ5と、該トレンチに設けられた電荷補償のための少なくとも1つの層とを備えた横方向にドーピング形態が変化する半導体層であって、前記トレンチは、表面から所定の深さまで前記半導体層に入り込んで延在しており、前記ドーピング層は、前記トレンチのトレンチ壁8に隣接する形式の半導体層において、前記ドーピング層は、前記トレンチの前記深さ全体に渡ってほぼ同じ層厚d2を有し、ドーピング層の厚さの2倍は、トレンチ壁相互の距離d1の最小値よりも小さいことを特徴とする半導体層を構成する。
請求項（抜粋）：
半導体層(4)に設けられた少なくとも1つのトレンチ(5)と、該トレンチ(5)に設けられた電荷補償のための少なくとも1つの層(9,11)とを備えた横方向にドーピング形態が変化する半導体層(4)であって、前記トレンチ(5)は、表面(2)から深さ(t)まで前記半導体層(4)に入り込んで延在しており、前記ドーピング層(9,11)は、前記トレンチ(5)のトレンチ壁(8)に隣接する形式の半導体層において、前記ドーピング層(9,11)は、前記トレンチ(5)の深さ(t)全体に渡ってほぼ同じ層厚(d2,d3)を有し、ドーピング層(9,11)の厚さ(d2,d3)の2倍は、トレンチ壁(8)相互の距離(d1)の最小値よりも小さいことを特徴とする半導体層。
引用特許：
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