特許

J-GLOBAL ID：200903029678173642

半導体製造装置およびそれに用いるIDマークの認識方法

発明者： 井古田 まさみ ,  横山 悟一 ,  真壁 一也
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-269322
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130171
出願日： 1994年11月02日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：

【要約】【目的】 ウェハ上の任意の位置に形成されたIDマークを認識することができる半導体製造装置およびそれに用いるIDマークの認識方法を提供する。【構成】 ウェハ1上に形成されたIDマークを撮像するCCDカメラ3と、CCDカメラ3が撮像する像を形成する鏡筒4と、CCDカメラ3に接続されかつCCDカメラ3が撮像したIDマークを読み取る画像処理装置5と、ウェハ1を載置するステージ6と、ステージ6の移動量あるいは移動方向を制御する制御部7と、ウェハ1上の任意の位置に形成されたIDマークのほぼ上方にCCDカメラ3を配置するステージ駆動手段8と、CCDカメラ3が撮像した像を画像処理装置5を介して出力する出力モニタ9とから構成され、ステージ駆動手段8によって、ウェハ1上の任意の位置に形成されたIDマークのほぼ上方にCCDカメラ3を配置し、前記IDマークの像を取り込んだ後認識する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハ上に形成されたIDマークを撮像する撮像部と、前記撮像部に接続されかつ該撮像部が撮像した前記IDマークを読み取る認識部と、前記半導体ウェハを載置するウェハ載置面を有したステージと、前記撮像部または前記ステージの移動量あるいは移動方向を制御する制御部と、前記半導体ウェハ上の任意の位置に形成されたIDマークのほぼ上方に前記撮像部を配置するウェハ撮像手段とからなることを特徴とする半導体製造装置。