特許

J-GLOBAL ID：200903029683888706

半導体装置のボンディングパッド及びその製造方法

発明者： 上田 隆司 ,  中野 紀夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-289860
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126776
出願日： 1997年10月22日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：

【要約】【課題】 複数の例えばアルミの層を有し、その間をタングステン等で埋設しているボンディングパッドにおいて、バリアメタルに用いる高融点金属とBPSG膜の間で、組立の時に剥がれることを防止する。【解決手段】 フィールド酸化膜1の上にBPSG膜2形成されており、BPSG膜2の上には、NSG膜9を形成する。その上にバリアメタル層3と下層メタルパッド4と上層メタルパッド5を有し、下層メタルパッド4と上層メタルパッド5は、層間絶縁膜6中をCVD技術でタングステンを埋設した多数の孔7で接続されていて、最上層にあるパッシベーション膜8は、上層メタルパッド5の上を開孔している。

請求項（抜粋）：

上層メタルと下層メタル間を多数の分散した孔で接続している集積回路のボンディングパッドの下層メタルを高融点金属膜を介してBPSG膜と接合させる構造において、BPSG膜と高融点金属膜との間にリン、ボロン等の不純物を含有しない膜(NSG膜)を設けたことを特徴とするボンディングパッドの構造。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/60 301

FI (2件)：

H01L 21/88 T ,  H01L 21/60 301 P