特許

J-GLOBAL ID：200903029684431190

半導体装置及びフィルム状接着剤

発明者： 徳安 孝寛 ,  畠山 恵一 ,  尾崎 義信 ,  丹治 美香
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  清水 義憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-064391
公開番号（公開出願番号）：特開2009-283905
出願日： 2009年03月17日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：

【課題】 十分な耐熱性、耐湿性及び耐リフロー性を有し、且つ、圧着による凹凸の埋込性に優れながらも半導体装置の製造過程における素子の反りを従来よりも少なくすることができるフィルム状接着剤、及び、これを用いて製造される半導体装置を提供すること。【解決手段】 半導体素子9と、該半導体素子9を搭載する支持部材10とを備え、半導体素子9及び支持部材10が、熱硬化性であって、硬化前の80°Cにおける溶融粘度が500Pa・s以上10000Pa・s以下であり、120°Cで1時間加熱したときの120°Cにおける貯蔵弾性率が0.005MPa以上1MPa以下であり、120°Cで2時間加熱したときの120°Cにおけるずり貯蔵弾性率が10MPa以下であるフィルム状接着剤の硬化物1’により接着されている半導体装置200。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

半導体素子と、該半導体素子を搭載する支持部材と、を備え、 前記半導体素子及び前記支持部材が、熱硬化性であって、硬化前の80°Cにおける溶融粘度が500Pa・s以上10000Pa・s以下であり、120°Cで1時間加熱したときの120°Cにおけるずり貯蔵弾性率が0.005MPa以上1MPa以下であり、120°Cで2時間加熱したときの120°Cにおけるずり貯蔵弾性率が10MPa以下であるフィルム状接着剤の硬化物により接着されている、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/52 ,  C09J 7/00 ,  C09J 201/00

FI (3件)：

H01L21/52 E ,  C09J7/00 ,  C09J201/00

Fターム (45件)：

4J004AA10 ,  4J004AA12 ,  4J004AA13 ,  4J004AB04 ,  4J004BA02 ,  4J004BA03 ,  4J004FA05 ,  4J004FA08 ,  4J040DF031 ,  4J040EB031 ,  4J040EB032 ,  4J040EC001 ,  4J040EC002 ,  4J040GA11 ,  4J040HA306 ,  4J040HB18 ,  4J040HC10 ,  4J040HC21 ,  4J040HC23 ,  4J040HD30 ,  4J040HD36 ,  4J040JA02 ,  4J040JA09 ,  4J040JB02 ,  4J040KA16 ,  4J040KA23 ,  4J040KA26 ,  4J040KA42 ,  4J040LA01 ,  4J040LA02 ,  4J040LA06 ,  4J040LA08 ,  4J040NA19 ,  4J040PA23 ,  4J040PA30 ,  5F047AA00 ,  5F047AA11 ,  5F047AA14 ,  5F047AA17 ,  5F047BA33 ,  5F047BA34 ,  5F047BA35 ,  5F047BA54 ,  5F047BB03 ,  5F047BB19