気相成長装置と気相成長方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-017293
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216104
出願日： 1999年01月26日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】反応管内の温度、基板の温度を、安定して制御し、生成膜の膜特性を精密に制御する。【解決手段】気相成長装置1000の反応管1の内壁に予め堆積膜70を所定の厚さa以上の厚さに堆積させておき、この気相成長装置1000により気相成長を行う。

請求項（抜粋）：

外部に加熱手段を有する反応管と、該反応管を排気する排気手段とを有する気相成長装置であって、上記反応管の内壁に、該反応管の材質と異なる材質の膜が、所定の厚さa以上の厚さに成膜堆積されてなることを特徴とする気相成長装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455 , H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 D , H01L 21/31 B

Fターム (12件)：

4K030JA01 , 4K030KA25 , 4K030KA47 , 5F045AA07 , 5F045AB03 , 5F045AC01 , 5F045AC19 , 5F045DP19 , 5F045DP20 , 5F045EB11 , 5F045EC05 , 5F045EK27

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-029522
コーティング方法ならびにそれに用いる半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-050614 出願人：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
反応炉
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-268349 出願人：ソニー株式会社

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