特許

J-GLOBAL ID：200903029688855776

バンプ高さ測定方法、バンプ位置測定方法およびバンプ高さ測定装置、バンプ位置測定装置ならびに半導体装置の製造方法、半導体装置の実装方法

発明者： 井上 三津二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-001134
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298036
出願日： 2001年01月09日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】バンプの高さを高速かつ高精度に測定することができるバンプ高さ測定方法を提供する。【解決手段】基板W表面に形成された突起状のバンプBの高さを測定するバンプ高さ測定方法において、バンプに所定の仰角で光を照明してバンプの影を基板上に投射し、基板上のバンプの影領域を抽出し、この影領域情報と影領域を撮像した画像情報とからバンプの影長さを求め、この影長さと仰角とからバンプの高さを求める。

請求項（抜粋）：

ワーク表面に形成された突起状のバンプの高さを測定するバンプ高さ測定方法において、前記ワーク表面に形成されたバンプを含む領域に対して所定の仰角で、少なくとも一方向から照明し、前記バンプの影を前記ワーク上に投影する照明工程と、この照明工程で照明されている前記ワーク上の前記領域を撮像して前記バンプの影を有する画像情報を出力する撮像工程と、この撮像工程で出力された前記画像情報から前記バンプの影領域を抽出して影領域情報を出力する影抽出工程と、この影抽出工程で出力された前記影領域情報と前記撮像工程で出力された画像情報とから前記バンプの影長さを求める影長さ演算工程と、この影長さ演算工程から得られた影長さと前記仰角から前記バンプの高さを求める高さ演算工程とを備えたことを特徴とするバンプ高さ測定方法。

IPC (8件)：

H01L 21/60 ,  G01B 11/00 ,  G01B 11/02 ,  G06T 1/00 300 ,  G06T 7/60 150 ,  G06T 7/60 ,  H01L 21/50 ,  H05K 3/34 512

FI (8件)：

G01B 11/00 H ,  G01B 11/02 H ,  G06T 1/00 300 ,  G06T 7/60 150 J ,  G06T 7/60 150 U ,  H01L 21/50 A ,  H05K 3/34 512 B ,  H01L 21/92 604 T