特許

J-GLOBAL ID：200903029689311184

キャパシタを内蔵した回路基板

発明者： 松崎 永二 ,  長谷部 健彦 ,  松嶋 直樹
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 三品 岩男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-260074
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069185
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】等価直列抵抗が低く、容量密度の大きな薄膜キャパシタを内蔵した回路基板であって、製造歩留まりの高い回路基板を提供する。【解決手段】電気伝導性のベース基板1、5と、ベース基板1、5の少なくとも一つの主表面上に順に積層された、第1の電気伝導性層2と、誘電体層3と、第2の電気伝導性層4とを有する。基板1,5および第1の電気伝導性層2を第1の電極として用い、第2の電気伝導性層4を第2の電極として用いるキャパシタ400が構成される。第1の電気伝導性層2は、タンタルを含む電気伝導性材料からなり、誘電体層3は、第1の電気伝導性層2の一部を酸化することにより形成した、酸化タンタルを含む誘電体材料からなる。

請求項（抜粋）：

電気伝導性のベース基板と、該ベース基板の少なくとも一つの主表面上に順に積層された、第1の電気伝導性層と、誘電体層と、第2の電気伝導性層とを有し、前記ベース基板、前記第1の電気伝導性層、前記誘電体層、および、前記第2の電気伝導性層は、前記ベース基板および前記第1の電気伝導性層を第1の電極として用い、前記第2の電気伝導性層を第2の電極として用いるキャパシタを構成し、前記第1の電気伝導性層は、タンタルを含む電気伝導性材料からなり、前記誘電体層は、前記第1の電気伝導性層の一部を酸化することにより形成した、酸化タンタルを含む誘電体材料からなることを特徴とするキャパシタを内蔵した回路基板。

IPC (4件)：

H05K 1/16 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/05 ,  H05K 3/46

FI (6件)：

H05K 1/16 D ,  H05K 1/05 B ,  H05K 1/05 Z ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 U ,  H01L 23/12 N

Fターム (57件)：

4E351AA14 ,  4E351AA18 ,  4E351BB04 ,  4E351BB24 ,  4E351BB32 ,  4E351BB33 ,  4E351CC03 ,  4E351CC06 ,  4E351CC29 ,  4E351DD02 ,  4E351DD04 ,  4E351DD05 ,  4E351DD10 ,  4E351DD17 ,  4E351DD19 ,  4E351DD21 ,  4E351DD32 ,  4E351DD34 ,  4E351DD35 ,  4E351DD42 ,  4E351GG06 ,  5E315AA05 ,  5E315BB02 ,  5E315BB03 ,  5E315BB05 ,  5E315BB07 ,  5E315BB14 ,  5E315CC01 ,  5E315DD17 ,  5E315DD25 ,  5E315DD27 ,  5E315GG20 ,  5E346AA03 ,  5E346AA13 ,  5E346AA15 ,  5E346AA33 ,  5E346AA35 ,  5E346BB01 ,  5E346BB16 ,  5E346BB20 ,  5E346CC16 ,  5E346CC31 ,  5E346CC32 ,  5E346DD01 ,  5E346DD02 ,  5E346DD05 ,  5E346DD07 ,  5E346DD11 ,  5E346DD32 ,  5E346EE33 ,  5E346FF01 ,  5E346FF45 ,  5E346GG17 ,  5E346GG22 ,  5E346GG40 ,  5E346HH01 ,  5E346HH33