特許

J-GLOBAL ID：200903029692360668

半導体レーザーモジュール

発明者： 久野 文雄 ,  西池 氏裕 ,  木谷 文一 ,  東松 剛
出願人/特許権者： 株式会社エコ・トゥエンティーワン
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-359764
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163409
出願日： 2001年11月26日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】【課題】 冷却能力に優れ、かつ消費電力の少ないペルチェモジュールを用いた半導体レーザーモジュールを提供する。【解決手段】 ペルチェモジュールの中間絶縁基板11の熱伝導度が30W/mK以上で、放熱側絶縁基板12に近い中間絶縁基板11と放熱側絶縁基板12の線膨張率差が5×10-5/°C以内で、かつ放熱側絶縁基板12とパッケージ14の線膨張率差が1×10-5/°C以内であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ペルチェ素子群を複数段に積層したカスケード構造を有するペルチェモジュールと、そのペルチェモジュールによって温度制御される半導体レーザー素子と、前記ペルチェモジュールならびに半導体レーザー素子を収納するパッケージとを備え、前記ペルチェモジュールの吸熱側絶縁基板が前記半導体レーザー素子側に配置され、ペルチェモジュールの放熱側絶縁基板が前記パッケージの一部に固着された半導体レーザーモジュールにおいて、前記ペルチェモジュールの中間絶縁基板の熱伝導度が30W/mK以上で、放熱側絶縁基板に近い中間絶縁基板と放熱側絶縁基板の線膨張率差が5×10-5/°C以内で、かつ放熱側絶縁基板と前記パッケージの線膨張率差が1×10-5/°C以内であることを特徴とする半導体レーザーモジュール。

IPC (7件)：

H01S 5/024 ,  H01L 23/373 ,  H01L 23/38 ,  H01L 35/08 ,  H01L 35/30 ,  H01L 35/32 ,  H01S 5/022

FI (7件)：

H01S 5/024 ,  H01L 23/38 ,  H01L 35/08 ,  H01L 35/30 ,  H01L 35/32 A ,  H01S 5/022 ,  H01L 23/36 M

Fターム (10件)：

5F036AA01 ,  5F036BA33 ,  5F036BD01 ,  5F036BD13 ,  5F036BD14 ,  5F073AB21 ,  5F073AB27 ,  5F073FA06 ,  5F073FA15 ,  5F073FA25

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光学ピックアップ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-245451   出願人：ソニー株式会社
• 化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-005223   出願人：横河電機株式会社