薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-213953
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055573
出願日： 1991年08月26日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】薄膜トランジスタにおけるソース電極とドレイン電極との間のリークの発生を抑制することができ、しかも大電流を用いるアクティブマトリクス型表示装置にも使用できるようにする。【構成】ゲート絶縁膜3が幅方向両側の側面3a、3bを、ゲート絶縁膜3の基板1側の幅方向長さよりもゲート電極4側の幅方向長さの方が短い傾斜面にして形成されている。このため、ゲート電極4側から不純物を注入すると、ゲート絶縁膜3の側面3a、3bの下からゲート絶縁膜3を外れた半導体層2部分にわたってコンタクト領域2a、2bを形成できる。このコンタクト領域2a、2bを介してチャネル領域とソース電極5aの離隔距離、及びチャネル領域とドレイン電極5bの離隔距離がそれぞれ長くなる。

請求項（抜粋）：

基板上に、コンタクト領域とチャネル領域とを少なくとも有する半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極がこの順に積層形成され、ゲート絶縁膜及びゲート電極よりも広幅になした半導体層の幅方向両端部上と少なくとも一部重畳し、かつその重畳部近傍に存在するようになした該コンタクト領域と接してソース電極及びドレイン電極がそれぞれ形成された薄膜トランジスタにおいて、該ゲート絶縁膜が幅方向両側の側面を、ゲート絶縁膜の基板側の幅方向長さよりもゲート電極側の幅方向長さの方が短い傾斜面にして形成され、該側面の少なくとも一部と重畳する半導体層部分とゲート絶縁膜を外れた半導体層部分とにコンタクト領域が設けられ、ゲート絶縁膜下であって該コンタクト領域を避けた半導体層部分にチャネル領域が設けられた薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/784 , G02F 1/136 500 , H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭61-224360
特開平2-159730
特開昭60-055665

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