特許
J-GLOBAL ID：200903029695876967
希土類系酸化物超電導体及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡邉 一平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-076552
公開番号（公開出願番号）：特開平5-279029
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月26日
要約：
【要約】【構成】 結晶粒に粒径5μm以下の銀粒子又は銀化合物粒子を含有する希土類系酸化物超電導体。結晶粒に銀粒子又は銀化合物粒子を含有し、かつ結晶粒の中心部より端部の方が銀粒子又は銀化合物粒子の粒径が小さい、あるいは体積分率が大きい希土類系酸化物超電導体。銀又は銀化合物に含有する銀元素が希土類系酸化物超電導体と該銀又は銀化合物との和の5〜12重量%となるように銀又は銀化合物を成形体に含有し、かつ、加熱溶融後で該成形体の溶融温度から凝固点までの冷却速度が1時間あたり100°C以上である希土類系酸化物超電導体の製造方法。【効果】 銀粒子又は銀化合物粒子が結晶粒内部のクラックの成長を防止するため、超電導特性の優れた希土類系酸化物超電導体を得ることができる。
請求項（抜粋）：
結晶粒に粒径5μm以下の銀粒子又は銀化合物粒子を含有することを特徴とする希土類系酸化物超電導体。
IPC (4件)：
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00
, H01B 12/00
, H01B 13/00 565
