特許

J-GLOBAL ID：200903029696131914

半導体レーザ

発明者： 二木 誠
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-303882
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121829
出願日： 1991年10月24日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】基板10上に第1クラッド層12、活性層14、第2クラッド層16、第3クラッド層18及びコンタクト層20が形成されて成り、第3クラッド層18がストライプ状である半導体レーザであって、第2クラッド層16の厚さが正確に制御され、動作の安定した半導体レーザを提供する。【構成】本発明の第1の態様の半導体レーザは、第3クラッド層18を構成する化合物半導体が、第2クラッド層16を構成する化合物半導体よりも早いエッチング速度を有する。第2の態様の半導体レーザは、各クラッド層12,16,18がアルミニウムを含む化合物半導体から成り、第3クラッド層18の化合物半導体中のアルミニウム含有率が、第2クラッド層16の化合物半導体中のアルミニウム含有率よりも高い。

請求項（抜粋）：

基板上に第1クラッド層、活性層、第2クラッド層、第3クラッド層及びコンタクト層が形成されて成り、第3クラッド層がストライプ状である半導体レーザであって、第3クラッド層を構成する化合物半導体は、第2クラッド層を構成する化合物半導体よりも早いエッチング速度を有することを特徴とする半導体レーザ。