特許
J-GLOBAL ID：200903029698423904
超電導デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-138709
公開番号（公開出願番号）：特開平6-350153
出願日： 1993年06月10日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 短時間の製造工程で精密な加工を行うことができる超電導デバイスの製造方法を提供する。【構成】 共振器の共振周波数fo を測定する測定工程と、MgO(100)基板201 上に形成されたYBCO酸化物超電導体203 に溝203d,203eをレーザで形成する加工を測定工程で測定された共振周波数fo に基づいて行う加工工程とを、超電導転移温度以下の温度で行う。【効果】 共振周波数fo の測定と溝203d,203eの形成とを超電導転移温度以下の温度で行うので、これらの工程で冷却部106内の温度の変更を行う必要がなく、製造工程に要する時間を短縮することができる。また、測定値に応じてYBCO膜203bの長さを決定することができるので所望の共振周波数fo を容易に得ることができ、歩留まりを向上させることができる。
請求項（抜粋）：
所定のデバイス特性を測定する測定工程と、基板上に形成された超電導膜のレーザによる加工を前記測定工程で測定された前記所定のデバイス特性に基づいて行う加工工程とを、超電導転移温度以下の温度で行うことを特徴とする超電導デバイスの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 39/24 ZAA
, B23K 26/12
, C23F 4/04 ZAA
, H01L 39/06 ZAA
