特許
J-GLOBAL ID：200903029698524999
治療用π中間子照射方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
工業技術院電子技術総合研究所長 (外1名)
, 富田 幸春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-358250
公開番号（公開出願番号）：特開平6-258499
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】π中間子照射において、ネックとなっている照射ゾーンでの2次荷電粒子の拡散を防止し、疾患部に対するπ中間子のスポット的,集中的な照射を行い、癌細胞破壊を促進し、正常細胞破壊を防止して放射線被爆を抑制する。【構成】磁石2の磁極4,4' を対向させてその形状を円錐台形状にし、両者の間に患者3をセットし、一方の磁極4にπ中間子照射用のスリット6を形成し、磁極4と疾患部との間にπ中間子照射深さ方向コントロールを行う銅,アルミニウム等の吸収体5をセットし、π中間子(ロ)を磁力線に平行に疾患部に向けて照射し磁力線に平行に照射されるπ中間子は影響が少く、π中間子ゾーンに於いて発生する2次荷電粒子はπ中間子照射に平行する磁場により拘束されて拡散が抑制され磁場に取り込まれて吸収ピークをシャープ化する。
請求項（抜粋）：
疾患部に対するπ中間子の照射を照射プロセスでの深さ方向吸収ピークを制御して行うようにする治療用π中間子照射方法において、上記π中間子の照射ゾーンに磁場を形成させるようにすることを特徴とする治療用のπ中間子照射方法。
IPC (3件)：
G21K 5/04
, A61N 5/10
, G21G 4/08
