特許
J-GLOBAL ID：200903029699755080
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-138735
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316394
出願日： 1995年05月12日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 はんだディップによる予備はんだ皮膜の外面を平坦にする。【構成】 TSOP・IC19のアウタリード10の少なくとも接地面にははんだディップによる予備はんだ皮膜15が表面張力で盛り上がるのを抑制する凹曲面16が形成されている。アウタリード10が予備はんだ皮膜15の被着のために溶融はんだで濡らされた際に、溶融はんだが凹曲面16の凹所内に収容されることで溶融はんだの表面張力による円弧形の半径は大きくなるため、予備はんだ皮膜15の表面は凸曲面にならずに平面状になる。【効果】 TSOP・ICの電気的特性試験時、アウタリードが接続装置のコンタクト部に押接された際、接地面の予備はんだ皮膜15は平坦面であるため、シーソーのように揺れず、その揺動でアウタリードが変形されるのは防止され、アウタリードの平坦度不良や先端の不揃い等は発生しない。
請求項（抜粋）：
表面実装形パッケージを備えており、各アウタリードにおけるはんだ付け実装部に溶融はんだ被着処理により予備はんだ皮膜が形成されている半導体装置において、前記各アウタリードにおけるはんだ付け実装部の少なくとも接地面に盛り上がり抑制凹所が形成されており、前記予備はんだ皮膜の少なくとも凹所に対応する部位の表面が表面張力によって盛り上がるのを小さく抑制されていることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 23/50 E
, H01L 23/50 N
