電界効果により制御可能の半導体デバイス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富村潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-218430
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198815
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】電界効果により制御可能の半導体デバイスにおいて、順方向抵抗を低下させ、かつ機械的耐性を維持するように改良する。【構成】陽極側主平面3にくぼみ6を設け、それにより半導体本体の厚さを部分的に維持する。陽極領域10は陽極側主平面3、くぼみ6の壁面8及び底面7と境を接している。

請求項（抜粋）：

ソース領域(5)と境を接している第1主平面(2)及び陽極領域(10)と境を接している第2主平面(3)を有する半導体本体からなる絶縁ゲート及び電界効果による制御装置を有する半導体デバイスにおいて、半導体本体が第2主平面(3)に半導体本体の内部に向かって先細になるくぼみ(6)を有し、また陽極領域(10)が第2主平面(3)、くぼみ(6)の壁面(8)及び底面(7)と境を接していることを特徴とする絶縁ゲート及び電界効果による制御装置を有する半導体デバイス。

前のページに戻る