特許

J-GLOBAL ID：200903029705446303

太陽電池の製造方法

発明者： 平沢 照彦
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 山本 亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-003002
公開番号（公開出願番号）：特開平9-191118
出願日： 1996年01月11日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 簡略な太陽電池の製造工程により、低コストで高効率な太陽電池の製造方法。【解決手段】 太陽電池の製造方法において、(1)p 型シリコン基板の表面にりん・ドーパントを含んだ有機チタン化合物塗布層を形成し、裏面にアルミニウム層を形成した後、近赤外ランプ加熱炉で該シリコン基板の両面をドライブイン拡散させて、該シリコン基板の表面にn+接合層とTiO2反射防止膜を、裏面に電界層(p+)を同時に形成する工程、及び/又は(2)p 型シリコン基板の表面のTiO2反射防止膜側に電極下部における選択拡散用のSb合金ドーパントを含んだ銀ペースト塗布層を形成し、裏面の電界層(p+)側に銀ペースト塗布層を形成した後、該シリコン基板を近赤外ランプ加熱炉で焼成して、両面に銀電極を同時に形成する工程、を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。

請求項（抜粋）：

太陽電池の製造方法において、(1)p 型シリコン基板の表面にりん・ドーパントを含んだ有機チタン化合物塗布層を形成し、裏面にアルミニウム層を形成した後、近赤外ランプ加熱炉で該シリコン基板の両面をドライブイン拡散させて、該シリコン基板の表面にn+接合層とTiO2反射防止膜を、裏面に電界層(p+)を同時に形成する工程、及び/又は(2)p 型シリコン基板の表面のTiO2反射防止膜側に電極下部における選択拡散用のSb合金ドーパントを含んだ銀ペースト塗布層を形成し、裏面の電界層(p+)側に銀ペースト塗布層を形成した後、該シリコン基板を近赤外ランプ加熱炉で焼成して、両面に銀電極を同時に形成する工程、を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 31/04 A ,  H01L 21/225 M ,  H01L 21/316 X

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭49-057833