特許
J-GLOBAL ID:200903029706054557

高密度プラズマを生成する方法および装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-550251
公開番号(公開出願番号):特表2006-505906
出願日: 2003年10月29日
公開日(公表日): 2006年02月16日
要約:
強電離プラズマを生成する方法および装置が記載されている。本発明による強電離プラズマを生成する装置には、アノードとカソードとが含まれており、カソードはアノードに隣接して配置され、アノードとカソードとの間にギャップが形成される。イオン源は、カソードの近傍に弱電離プラズマを生成する。電源は、アノードとカソードとの間のギャップに電場を生成する。電場は、弱電離プラズマ内に励起原子を生成し、カソードから二次電子を生成する。二次電子は励起原子を電離することにより、強電離プラズマを生成する。
請求項(抜粋):
強電離プラズマを生成する装置であって、 原料ガスのボリュームから弱電離プラズマを生成するイオン源と、 該弱電離プラズマ全体に電気パルスを印加することにより、該強電離プラズマを生成する電源と、 該電気パルスを第2の原料ガスのボリューム全体に印加することにより、さらなる強電離プラズマを生成しながら、該強電離プラズマを該第2の原料ガスのボリュームと交換する手段と を備える、装置。
IPC (4件):
H05H 1/46 ,  C23C 14/34 ,  H01J 37/32 ,  H05H 1/24
FI (4件):
H05H1/46 A ,  C23C14/34 T ,  H01J37/32 ,  H05H1/24
Fターム (5件):
4K029BC06 ,  4K029CA05 ,  4K029DC27 ,  4K029DC33 ,  4K029EA06

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