特許

J-GLOBAL ID：200903029711112565

強誘電体記憶装置およびその製造方法

発明者： 逸見 学 ,  秋谷 秀夫 ,  大藤 晋一 ,  塚田 光男
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-318123
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181288
出願日： 1994年12月21日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】 強誘電体を熱処理した場合でも、または分極反転を繰り返した場合でも、強誘電体の組成の変化や劣化の生じない強誘電体記憶装置およびその製造方法を可能にする。【構成】 シリコン基板1上に通常のCVD法により厚さ約8nmの窒化シリコン膜9を形成した後、ECRプラズマスパッタ法により厚さ約160nmのBIT強誘電体膜2を堆積し、次いでECRプラズマスパッタ法より厚さ約8nmの窒化シリコン膜10を堆積した。次にこの窒化シリコン膜10上に多結晶シリコン層を形成してゲート電極3とする。ゲート電極3に隣接した領域にn+ 拡散層4,5を設けてソース,ドレインとする。

請求項（抜粋）：

強誘電体膜を用いた強誘電体記憶装置において、シリコン基板または下部電極上に窒化シリコン膜が設けられ、前記窒化シリコン膜上に強誘電体膜を含む絶縁膜が設けられ、前記絶縁膜上に上部電極が設けられたことを特徴とする強誘電体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 441 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371