特許
J-GLOBAL ID：200903029713143123
半球型グレーンの多結晶シリコン膜を有する半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-061553
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313099
出願日： 1998年03月12日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：
【要約】【課題】 キャパシタ電極で使用し得る半球型グレーンの多結晶シリコン膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 不純物をドーピングした非晶質シリコン膜16が形成された半導体基板10がローディングされたチャンバにシリコンソースガスを第1量で注入して、非晶質シリコン膜16上に選択的に第1シリコン結晶核18を形成する段階と、チャンバに第1量より多い第2量のシリコンソースガスを注入し、第1シリコン結晶核より大きな第2シリコン結晶核を形成する段階と、アニーリングすることで第2シリコン結晶核20を成長させ半球型のグレーンを有する多結晶シリコン膜を形成する段階と、第1・第2のシリコン結晶核18・20を、550〜590°Cの温度で形成する段階とを含み、第1量は、第2量の60〜90%の条件で遂行する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に不純物をドーピングした非晶質シリコン膜を形成する段階と、前記非晶質シリコン膜が形成された半導体基板をチャンバにローディングする段階と、前記チャンバにシリコンソースガスを第1量で注入して前記非晶質シリコン膜上に選択的に第1シリコン結晶核を形成する段階と、前記チャンバに前記第1量より多い第2量のシリコンソースガスを注入して前記第1シリコン結晶核よりさらに大きな第2シリコン結晶核を形成する段階と、前記結果物をアニーリングすることで前記第2シリコン結晶核を成長させ、半球型のグレーンを有する多結晶シリコン膜を形成する段階とを含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
