特許
J-GLOBAL ID：200903029717477964
無双晶(Nd,La)GaO3単結晶およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
雨宮 正季
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-067512
公開番号（公開出願番号）：特開平6-256091
出願日： 1993年03月03日
公開日（公表日）： 1994年09月13日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】クラックや双晶を含まない(Nd,La)GaO<SB>3</SB>単結晶製造を可能とする組成(La/Nd比)を明確にし、(Nd,La)GaO<SB>3</SB>単結晶の引上げ法による育成技術において育成中にもまた育成後の冷却中にもクラックや双晶が入らない単結晶製造方法を提供することを目的とする。【構成】Nd<SB>1-x</SB>La<SB>x</SB>GaO<SB>3</SB>(0<x<0.3)である無双晶(Nd,La)GaO<SB>3</SB>単結晶と、引上げ軸方向の温度勾配を(Nd,La)GaO<SB>3</SB>融液の液面直上において45°C/cm以下とし、引上げ中の(Nd,La)GaO<SB>3</SB>単結晶を(融点-60)°Cを越えて冷却させず、上記引上げ工程終了後、無双晶(Nd,La)GaO<SB>3</SB>単結晶を60°C/hr以下の冷却速度で室温まで冷却する、次いで任意にアニールすることを特徴とする製造方法である。
請求項（抜粋）：
Nd<SB>1-x</SB>La<SB>x</SB>GaO<SB>3</SB>(0<x<0.3)であることを特徴とする無双晶(Nd,La)GaO<SB>3</SB>単結晶。
IPC (2件)：
C30B 29/24
, C30B 29/22 501
