特許
J-GLOBAL ID：200903029721984633
気密封止構造および圧電デバイスとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
上柳 雅誉
, 須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-358579
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165503
出願日： 2005年12月13日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：
【課題】切断溝を必要以上に大きくすることなく、表面状態が平滑できれいな面取り端面を得ることができ、割れや欠けを有効に防止できる絶縁基体および圧電デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】電子部品を収容もしくは一体に接合するための収容体の一部として利用される絶縁基体31または33を製造する製造方法であって、前記絶縁基体を複数個同時に形成するためのウエハ基板51に対して、該複数個の絶縁基体を分離するために切断溝に沿った開口を有するマスク52を設定するマスキング工程と、該マスクの加工パターンによりブラスト加工を行うブラスト加工工程と、前記マスクを配置したまま仕上げの化学エッチングを行うエッチング工程と、前記マスクを剥離後に、前記切断溝に沿ってダイシングする切断工程とを含み、前記ブラスト加工工程では、前記ダイシングによる切断工程の切断幅よりも大きな幅で加工する絶縁基体の製造方法。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
電子部品を収容もしくは一体に接合するための収容体の一部として利用される絶縁基体
を製造する製造方法であって、
前記絶縁基体を複数個同時に形成するためのウエハ基板に対して、該複数個の絶縁基体
を分離するために切断溝に沿った開口を有するマスクを設定するマスキング工程と、
該マスクの加工パターンによりブラスト加工を行うブラスト加工工程と、
前記マスクを配置したまま仕上げの化学エッチングを行うエッチング工程と、
前記マスクを剥離後に、前記切断溝に沿ってダイシングする切断工程と
を含み、
前記ブラスト加工工程では、前記ダイシングによる切断工程の切断幅よりも大きな幅で
加工する
ことを特徴とする絶縁基体の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 23/02
, H01L 23/08
, H01L 23/04
, H03H 3/02
, H03H 9/02
H01L23/02 Z
, H01L23/08 B
, H01L23/08 Z
, H01L23/04 B
, H03H3/02 C
, H03H9/02 A
5J108BB02
, 5J108CC04
, 5J108CC06
, 5J108CC11
, 5J108GG07
, 5J108GG13
, 5J108MM08
, 5J108MM11
