特許
J-GLOBAL ID：200903029724007930
イオン注入制御装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-251396
公開番号（公開出願番号）：特開平6-103955
出願日： 1992年09月21日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【構成】 イオン注入制御装置は、ビーム電流検定回路4およびディスクスキャン制御回路5によって、ビーム電流信号によりビーム電流の異常の有無を確認しながらQパルス信号によりディスクの移動速度を制御するものである。そして、このイオン注入制御装置は、イオン注入の完了後に、イオン注入時に得られたビーム電流信号から平均ビーム電流値を求め、この平均ビーム電流値と注入時間とを基にして実ドーズ量を算出し、この実ドーズ量を基にしてイオン注入の良否を判定するドーズ量判定回路8を有している構成である。【効果】 レンジ切替回路9は、イオン注入の完了毎に実ドーズ量を確認してイオン注入の良否を判定する。よって、異常なQパルス信号によりイオン注入が行われた際の注入量の異常をイオン注入の完了後に検出できるため、異常な注入量のイオン照射対象物を良製品として後工程に送り出すことを防止できる。
請求項（抜粋）：
イオンビームのビーム電流に対応するビーム電流信号およびQパルス信号を形成し、上記ビーム電流信号によりビーム電流の異常の有無を確認しながらQパルス信号によりディスクの移動速度を制御するイオン注入制御装置であって、イオン注入の完了後に、イオン注入時に得られたビーム電流信号から平均ビーム電流値を求め、この平均ビーム電流値と注入時間とを基にして実ドーズ量を算出し、この実ドーズ量を基にしてイオン注入の良否を判定するドーズ量判定手段を有していることを特徴とするイオン注入制御装置。
IPC (4件)：
H01J 37/317
, C23C 14/48
, C23C 14/54
, H01L 21/265
