特許

J-GLOBAL ID：200903029727218118

半導体ウエハ洗浄液

発明者： 柴谷 博志
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 千葉 博史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-319628
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136113
出願日： 1991年11月08日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】 金属汚染の除去効果に優れ経時変化の少ない半導体ウエハ洗浄液を提供する。【構成】 アルカリ性のアミン系有機化合物水溶液に過酸化水素を添加し、または、アルカリ性のアミン系有機化合物水溶液に過酸化水素およびトリポリリン酸ナトリウムを添加したことを特徴とする半導体ウエハ洗浄液。【効果】上記洗浄液は、化合物半導体ウエハの汚染金属を除去する効果に優れ、さらに液の経時変化(劣化)が小さく、実用上の利点が大きい。また化合物半導体ウエハに限らずSi半導体など他の半導体ウエハの洗浄液としても有効である。

請求項（抜粋）：

アルカリ性のアミン系有機化合物水溶液に過酸化水素を添加したことを特徴とする半導体ウエハ洗浄液。