特許
J-GLOBAL ID：200903029732454423
ドープ層を有する半導体薄膜の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-251133
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077027
出願日： 1999年09月06日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 低不純物のアンドープ層上に最適なドーピング効率でしかも境界部分が急峻なプロファイルで形成されたn型ドープ層、または最適なドーピング効率で形成されたp型及びn型ドープ層からなり不純物濃度が境界部分で急峻なプロファイルのpn接合を有する半導体薄膜を成長することを可能にする薄膜成長方法を提供することを目的とする。【解決手段】 反応炉2の内部に基板3を設置し、高温に加熱された基板3上にアンドープ層の薄膜を成長させ、引きつづきドーピングガス12を供給してドープ層を成長させると同時に流量計1を用いて少なくとも一種の原料ガス7の流量を変化させる。
請求項（抜粋）：
内部に基材を設置する空間を有する反応炉と、前記反応炉を排気するガス排気系と、前記反応炉内に少なくとも二種類以上からなる原料ガス、希釈ガス、ドーピングガス等の不純物のうちの一種またはこれらの混合ガスを供給するガス供給系を用い、前記反応炉内部の空間に設置された前記基材上に薄膜を成長中に、前記ドーピングガス等の不純物を前記反応炉内に供給すると同時に前記原料ガスの少なくとも一種の供給量を変化させることを特徴とする薄膜成長方法。
Fターム (18件)：
5F045AB06
, 5F045AC01
, 5F045AC07
, 5F045AC08
, 5F045AD18
, 5F045AE25
, 5F045AF02
, 5F045AF13
, 5F045BB05
, 5F045CA06
, 5F045DP03
, 5F045EB15
, 5F045EC07
, 5F045EE12
, 5F045EE15
, 5F045EE17
, 5F045EK03
, 5F045HA04
