特許

J-GLOBAL ID：200903029733922285

硫化物半導体膜の製造方法および太陽電池

発明者： 西尾 剛 ,  澁谷 聡 ,  尾村 邦嘉 ,  室園 幹夫
出願人/特許権者： 松下電池工業株式会社
代理人 (1件)： 東島 隆治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-232720
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074551
出願日： 1997年08月28日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】 良質の硫化物半導体膜を容易に短時間で形成することができる硫化物半導体膜の製造方法を提供する。【解決手段】 ソースとしての金属-硫黄結合を有する有機金属化合物および半導体膜を形成しようとする基板を、所定の間隔で互いに対向させて配する工程、および有機金属化合物を気化温度以上に加熱することにより、気化させるとともに、基板を同有機金属化合物の分解温度以上に加熱することにより、気化した有機金属化合物を分解して基板上に硫化物半導体膜を形成する工程を具備し、硫化物半導体膜を形成する工程において、金属有機化合物がすべて気化する前に、基板を金属有機化合物より隔離することによって膜の形成を終了する。

請求項（抜粋）：

ソースとしての金属-硫黄結合を有する有機金属化合物および半導体膜を形成しようとする基板を、所定の間隔で互いに対向させて配する工程、および前記有機金属化合物をその気化温度以上に加熱することにより、気化させるとともに、前記基板を前記有機金属化合物の分解温度以上に加熱することにより、気化した前記有機金属化合物を分解して前記基板上に硫化物半導体膜を形成する工程を具備し、前記硫化物半導体膜を形成する工程において、前記有機金属化合物がすべて気化する前に、前記基板を前記有機金属化合物より隔離することによって膜の形成を終了する硫化物半導体膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  C03C 17/09 ,  H01L 21/365

FI (3件)：

H01L 31/04 E ,  C03C 17/09 ,  H01L 21/365