特許

J-GLOBAL ID：200903029736684210

多層レジストのパターニング方法

発明者： 田中 裕之 ,  及川 朗 ,  前田 公久
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴイエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-265935
公開番号（公開出願番号）：特開平5-107769
出願日： 1991年10月15日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、多層レジストのパターニング法に関し、上層レジストパターン下部でのパターン細りを生じ難くすることができ、所望のレジストパターンを得ることができ、中間層、下層レジスト及び被エッチング層を安定したパターン線幅でパターン形成することができる多層レジストのパターニング法を提供することを目的とする。【構成】 シリコン含有樹脂を含有する層と、該シリコン含有樹脂層上に形成される光酸発生剤を含有する上層レジストとを少なくとも含む多層レジストのパターニング方法において、予め該シリコン含有樹脂層に該シリコン含有樹脂以外に光酸発生剤を含有させた状態で該上層レジストを塗布し、次いで、露光・ベーク・現像によりパターニングするように構成する。

請求項（抜粋）：

シリコン含有樹脂を含有する層と、該シリコン含有樹脂層上に形成される光酸発生剤を含有する上層レジストと、を少なくとも含む多層レジストのパターニング方法において、予め該シリコン含有樹脂層に光酸発生剤を含有させた状態で該上層レジストを塗布し、次いで、露光・ベーク・現像によりパターニングすることを特徴とする多層レジストのパターニング方法。

IPC (5件)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/075 521 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 301 R ,  H01L 21/30 361 S