特許
J-GLOBAL ID：200903029737688279
ダイヤモンド基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 勝成 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-283938
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102047
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 半導体デバイス等の用途に適した大面積の単結晶ダイヤモンド基板を大量且つ安価に製造し、提供する。【構成】 単結晶炭化ケイ素の結晶面のうち炭素原子のみが現れる炭素原子面を成長用表面とする基板を準備し、この成長用表面の炭素原子面上にCVD法等の気相合成法により単結晶ダイヤモンド層を成長させることにより、前記単結晶炭化ケイ素基板の炭素原子面の上に成長した単結晶ダイヤモンド層を有するダイヤモンド基板。
請求項（抜粋）：
単結晶炭化ケイ素からなる基板と、この基板の結晶面のうち炭素原子のみが現れる炭素原子面の上に成長した単結晶ダイヤモンド層とを有するダイヤモンド基板。
IPC (2件)：
引用特許：
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