特許
J-GLOBAL ID：200903029739008232
表面処理方法及び表面処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-008173
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198509
出願日： 1992年01月21日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 比較的低い基板温度で、イオンを使用せず、また、磁場を印加すること無く、高真空中で基板表面の変成層を除去することができる表面処理方法及びその装置を提供すること。【構成】 真空槽11に、基板ホルダー14に保持された基板13に向けられたガスノズル19を設ける。ガスノズル19には触媒が装填されており、ノズル19を通過する水素は活性な水素原子に解離する。解離した水素原子を真空槽11内に導入し、基板13の表面に照射すると、基板表面の変成層は除去される。
請求項（抜粋）：
大気中から真空チャンバ内に基板を導入し、真空状態下で前記基板の表面処理を行う表面処理方法において、水素を触媒によって解離し、解離した水素原子を前記真空チャンバ内に導入し、前記基板の表面に照射するようにしたことを特徴とする表面処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/203
, H01L 21/302
