特許

J-GLOBAL ID：200903029742937678

半導体基板の接合方法

発明者： 白鳥 治男
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-329975
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196377
出願日： 1991年11月19日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 張り合わせ法により製作する半導体素子形成用基板の膜に適度な内部応力を導入する方法を提供する。【構成】 2枚の基板のうち一方の基板を接合面が凸になるように湾曲させ、他方の基板をこれに沿わせて重ね合わせ、熱処理して接合一体化させる。

請求項（抜粋）：

表面を鏡面に仕上げた2枚の半導体素子形成用基板を、その鏡面同士を接触させ仮接合した後、熱処理して接合一体化させる直接接合法において、仮接合にさいして、一方の半導体素子形成用う 基板を接合面が凸になるように湾曲させ他方の基板をこれに沿わせて重ね合わせることで、内部に応力を導入せしめることを特徴とする半導体基板の接合方法。